آخر مستجدات سامسونج مع رقائق الذاكرة HBM | هل تستخدم تقنية المنافس أم تنتج تقنية خاصة بها؟

قامت وكالة رويترز بنقل مجموعة من المعلومات بخصوص شركة سامسونج والتي تنوي الانتقال إلى تقنية إنتاج جديدة تسمى MR-MUF من شركة SK Hynix والتي نجحت أن تتفوق بها على المنافسين في صناعة رقائق الذاكرة HBM.

وبالاعتماد على بعض المصادر المحلية فإن سامسونج تلجأ لهذا الحل لضعف إنتاج رقائق الذاكرة ذات النطاق الترددي العالي (HBM) من خلال الانتقال إلى التعامل مع MR-MUF وأفادت التقرير أن السبب في تراجع سامسونج مؤخرًا كان التمسك بتقنية NCF والتي تسبب ندرتها مشاكل في الإنتاج.

وإن الدافع وراء MR-MUF من شركة SK Hynix هو حل الضعف في NCF ويقول الخبراء أنه كان من الأفضل السامسونج أن تقوم بتطوير تقنية خاصة بها بدلًا من الاعتماد على المنافسين مثل SK Hynix

في حين صدر عن متحدث رسمي لسامسونج أنه جاري إنتاج رقائق الذاكرة HBM3E وتم التأكيد أن اللجوء إلى MR-MUF من الشركة المنافسة محض شائعة في حين أن بعض المصادر أفادت بأن سامسونج تنوي الدمج بين تقنية NCF و MR-MUF في إنتاج رقائق ذاكرة HBM من الجيل التالي.